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Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運用到MOSFET產(chǎn)品組合中 成為行業(yè)競爭的領(lǐng)跑者

2022-07-08 15:17:37來源:TechWeb

7月8日消息,基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護(hù)器件,如今更進(jìn)一步,Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運用到MOSFET產(chǎn)品組合中,成為行業(yè)競爭的領(lǐng)跑者。

新一代可穿戴設(shè)備和可聽戴設(shè)備正在融入新的人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)技術(shù),這為產(chǎn)品設(shè)計帶來了若干挑戰(zhàn)。首先,隨著功能的增加,可供使用的電路板空間變得十分寶貴,另外,隨著功耗的增加,散熱也成為一個不容忽視的問題。

Nexperia作為分立器件生產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,憑借數(shù)十年經(jīng)驗的沉淀,設(shè)計出這一超小尺寸的創(chuàng)新型MOSFET系列,成功地克服了這兩個問題。超薄型DFN0603封裝,尺寸僅為0.63 x 0.33 x 0.25 mm,比第二小封裝(DFN0604)的MOSFET使用的空間少13%。令人驚嘆的是,這種尺寸上的縮小毫不影響器件性能,事實上,這些MOSFET的RDS(on)減少了74%,這有助于提高效率,從而使可穿戴設(shè)備設(shè)計師能夠?qū)崿F(xiàn)更大的功率密度。

該新系列小型MOSFET包括:

PMX100UN 20 V,N溝道Trench MOSFET

PMX100UNE 20 V,N溝道Trench MOSFET,帶2kV ESD保護(hù)(HBM)

PMX300UNE 30 V,N溝道Trench MOSFET

PMX400UP 20 V,P溝道Trench MOSFET

據(jù)悉Nexperia計劃于2022年下半年為該系列再增加兩款MOSFET。

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