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消息稱三星3nm制程良率大幅提升 第二代3nm芯片技術(shù)也迅速展開

2023-01-10 15:26:04來源:IT之家

1 月 10 日消息,臺(tái)積電于 12 月 29 日在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)舉辦 3nm 量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮,正式宣布啟動(dòng) 3nm 大規(guī)模生產(chǎn)。雖然三星早在半年前就已經(jīng)開啟了N3(3nm)工藝芯片制造,但由于剛剛采用 GAA 的原因似乎生產(chǎn)良率有嚴(yán)重下滑。

當(dāng)然,三星也沒有坐以待斃,此前業(yè)界稱其已經(jīng)聯(lián)合 IBM、Silicon Frontline Technology 等公司合作提高 3nm 成品率,希望為自家手機(jī)爭(zhēng)取到部分高通驍龍 8 Gen3 的訂單。

根據(jù)臺(tái)積電自己的說法來看,其 3nm 和 5nm 問世之初的良率基本一致。對(duì)比之下,三星 3nm GAA 剛投產(chǎn)時(shí),良率僅有可憐的 20%,廢片率高得離譜。不過最近還有消息稱,三星 3nm 良率已經(jīng)大幅提高,目前已經(jīng)“接近完美”。

據(jù)韓國(guó)每日經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道,三星一位高管在受訪時(shí)表示,相比于此前受困的良率問題,三星第一代的 3nm 制程良率已接近完美,第二代 3nm 芯片技術(shù)也迅速展開。此外,此前傳聞的中 90% 的臺(tái)積電 3nm 良率過于夸張,實(shí)際可能在 50% 以上。

IT之家曾報(bào)道,臺(tái)積電已經(jīng)在去年年底踩點(diǎn)開始 3nm FinFET芯片量產(chǎn)。Business Next 發(fā)表的一份報(bào)告稱,根據(jù)專門從事半導(dǎo)體研究的專家描述,臺(tái)積電當(dāng)時(shí)3nm 工藝的成率估計(jì)約為 60-70%,在某些情況下可以超過 70%。

韓媒報(bào)道進(jìn)一步指出,在三星與臺(tái)積電都進(jìn)入 3nm 制程的時(shí)代之后,未來 3nm 制程將會(huì)成為晶圓代工市場(chǎng)的主流。因此,預(yù)計(jì)到 2025 年之際,3nm 制程市場(chǎng)的產(chǎn)值將會(huì)高達(dá) 255 億美元,超越當(dāng)時(shí) 5nm 制程預(yù)估的 193 億美元產(chǎn)值。

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查單位 TrendForce 的調(diào)查數(shù)據(jù)顯示,2022 年第三季,在全球晶圓代工市場(chǎng)中,臺(tái)積電仍以 53.4% 市場(chǎng)份額穩(wěn)居第一,排名第二的三星市場(chǎng)份額僅 16.4%。所以,在市場(chǎng)烈競(jìng)爭(zhēng)下,也使得 3nm 制程將成為未來兩家公司主要競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。

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