12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官網(wǎng)宣布，成功開發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組樣品，這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達 8Gbps，較之目前 DDR5 產(chǎn)品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。

官方稱，該 MCR DIMM 產(chǎn)品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認為 DDR5 的運行速度取決于單個 DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程師在開發(fā)該產(chǎn)品時另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個 DRAM 芯片的速度。

SK 海力士技術(shù)團隊在設(shè)計產(chǎn)品時，以英特爾 MCR 技術(shù)為基礎(chǔ)，利用安裝在 MCR DIMM 上的數(shù)據(jù)緩沖器 (data buffer) 同時運行兩個內(nèi)存列。

傳統(tǒng) DRAM 模塊每次只能向 CPU 傳輸 64 個字節(jié)的數(shù)據(jù)，而在 MCR DIMM 模塊中，兩個內(nèi)存列同時運行可向 CPU 傳輸 128 個字節(jié)的數(shù)據(jù)。每次傳輸?shù)?CPU 的數(shù)據(jù)量的增加使得數(shù)據(jù)傳輸速度提高到 8Gbps 以上，是單個 DRAM 的兩倍。

該產(chǎn)品的成功開發(fā)得益于與英特爾、瑞薩電子的合作。三家公司在從開發(fā)到速度和性能驗證的各個階段都進行了緊密的合作。

SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品策劃擔(dān)當副社長柳城洙認為這款產(chǎn)品的成功開發(fā)取決于不同技術(shù)的結(jié)合。柳城洙表示：“SK 海力士的 DRAM 模塊設(shè)計能力與英特爾卓越的 Xeon 處理器、瑞薩電子的緩沖器技術(shù)融為一體。為確保 MCR DIMM 的穩(wěn)定運行，模塊內(nèi)外數(shù)據(jù)緩沖器和處理器能夠順暢交互至關(guān)重要。”

數(shù)據(jù)緩沖器負責(zé)從中間的模塊傳輸多個信號，服務(wù)器 CPU 則負責(zé)接受和處理來自緩沖器的信號。

柳副社長還表示：“開發(fā)出業(yè)界速度最快的 MCR DIMM 充分彰顯了 SK 海力士 DDR5 技術(shù)的又一長足進步。我們將繼續(xù)尋求突破技術(shù)壁壘，鞏固在服務(wù)器 DRAM 市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

英特爾內(nèi)存和 IO 技術(shù)副總裁 DimitriosZiakas 博士表示，英特爾與 SK 海力士在內(nèi)存創(chuàng)新、針對服務(wù)器的高性能、可擴展的 DDR5 領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，在同一梯隊的還有其他一些主要的行業(yè)合作伙伴。

“此次采用的技術(shù)源于英特爾和關(guān)鍵業(yè)界合作伙伴多年的共同研究，極大提高了英特爾 Xeon 處理器可提供的帶寬。我們期待該技術(shù)能夠應(yīng)用到未來的英特爾 Xeon 處理器上，支持業(yè)界的標準化和多世代開發(fā)。”

瑞薩電子副總裁兼 Memory Interface 部門長 Sameer Kuppahalli 表示，該數(shù)據(jù)緩沖器從構(gòu)思到實現(xiàn)產(chǎn)品化歷經(jīng)三年，“對于能夠攜手 SK 海力士和英特爾將該技術(shù)轉(zhuǎn)化為優(yōu)秀的產(chǎn)品，我們深感自豪。”

IT之家了解到，SK 海力士預(yù)計，在高性能計算對于內(nèi)存帶寬提升需求的驅(qū)動下，MCR DIMM 的市場將會逐步打開，公司計劃在未來量產(chǎn)該產(chǎn)品。

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