8月19日消息，兆易創(chuàng)新今日宣布，推出1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數(shù)據(jù)傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關(guān)鍵性能指標(biāo)上均達到國際領(lǐng)先水平，在針對智能可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備或其它單電池供電的應(yīng)用中，能顯著降低運行功耗，有效延長設(shè)備的續(xù)航時間。

隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，新一代智能可穿戴設(shè)備需要擁有更豐富的功能來滿足消費者的需求，這種空間敏感型產(chǎn)品對系統(tǒng)功耗提出了更嚴(yán)苛的要求，希望進一步提升產(chǎn)品的續(xù)航能力。從系統(tǒng)設(shè)計層面來看，一些先進工藝器件的工作電壓已低至1.2V，如果所需的Flash可支持1.2V的電壓操作，這對于主控而言，將能夠有效簡化電源設(shè)計并優(yōu)化系統(tǒng)成本。

應(yīng)此需求，兆易創(chuàng)新推出了GD25UF產(chǎn)品系列，該系列工作電壓可擴展至1.14~1.6V，具有單通道、雙通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式，支持不同容量選擇，能夠滿足智能設(shè)備所需的代碼存儲要求。

在讀寫性能方面

GD25UF最高時鐘頻率STR 120MHz，DTR 60MHz，擁有10萬次的擦寫壽命，數(shù)據(jù)有效保存期限可達20年。

在安全性方面

該產(chǎn)品具有128bit Unique ID來實現(xiàn)加密效果，為應(yīng)用帶來高安全保障。

同時，為進一步滿足低功耗的需求，GD25UF產(chǎn)品系列特別提供了Normal Mode和Low Power Mode兩種工作模式。在Normal Mode下，器件讀取電流在四通道120MHz的頻率下低至6mA;在Low Power Mode下，器件讀取電流在四通道1MHz頻率下低至0.5mA，擦寫電流低至7mA，睡眠功耗低至0.1uA。

相比于1.8V供電的SPI NOR Flash，1.2V GD25UF系列在Normal Mode下，相同電流情況下的功耗降低了33%，而在Low Power Mode下，相同頻率下的功耗降低了70%，有效延長了設(shè)備的續(xù)航時間。

另外GD25UF系列產(chǎn)品的供電電壓支持1.14~1.6V的寬電壓范圍，可顯著延長單電池供電應(yīng)用的使用壽命。并且該系列產(chǎn)品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP封裝，全溫度工作范圍覆蓋-40℃~85℃、-40℃~105℃、-40℃~125℃。

目前，兆易創(chuàng)新GD25UF系列可提供64Mb容量樣品，更多容量產(chǎn)品將陸續(xù)推出。

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